Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PA4343.102ANLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 29 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.8mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PA4343.102ANLT.
PA4343.102ANLT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PA4343.102ANLT ist für 29 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PA4343.102ANLT hat einen DC-Widerstand von 1.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PA4343.102ANLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 29 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.8mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 36A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 29A 1.8 MOHM SMD |
| Serie | PA4343.XXXANLT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.256" (6.50mm) |
