Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PA4343.683ANLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 µH, Nennstrom 4.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PA4343.683ANLT.
PA4343.683ANLT hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PA4343.683ANLT ist für 4.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PA4343.683ANLT hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PA4343.683ANLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 68 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.531" L x 0.496" W (13.50mm x 12.60mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 68UH 4.8A 100 MOHM SMD |
| Serie | PA4343.XXXANLT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.256" (6.50mm) |
