Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PA5615.800HLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 80 nH, Nennstrom 85 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 125mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PA5615.800HLT.
PA5615.800HLT hat eine Induktivität von 80 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PA5615.800HLT ist für 85 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PA5615.800HLT hat einen DC-Widerstand von 125mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PA5615.800HLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 nH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 85 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 125mOhm |
| Sättigungsstrom | 105A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 80NH 85A 125 MOHM SMD |
| Serie | PA5615.XXXHLT |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.335" (8.50mm) |
