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PE-0402CD150JTG

PE-0402CD150JTG

Pulse Electronics

0402 (1005 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0402CD150JTG von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 15 nH, Nennstrom 560 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 172mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
15 nH
Nennstrom
560 mA
DC-Widerstand (DCR)
172mOhm Max
Abmessungen
0.047" L x 0.026" W (1.19mm x 0.66mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0402CD150JTG.

Induktivität
15 nH

PE-0402CD150JTG hat eine Induktivität von 15 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
560 mA

PE-0402CD150JTG ist für 560 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
172mOhm Max

PE-0402CD150JTG hat einen DC-Widerstand von 172mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

PE-0402CD150JTG verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität15 nH
Toleranz±5%
Nennstrom560 mA
DC-Widerstand (DCR)172mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.047" L x 0.026" W (1.19mm x 0.66mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 15NH 560MA 172 MOHM
Serie0402CD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz26 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz3.28GHz
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402 (1005 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.024" (0.61mm)

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