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PE-0805CD122GTT

PE-0805CD122GTT

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CD122GTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 120 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 4.1Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.2 µH
Nennstrom
120 mA
DC-Widerstand (DCR)
4.1Ohm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CD122GTT.

Induktivität
1.2 µH

PE-0805CD122GTT hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
120 mA

PE-0805CD122GTT ist für 120 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.1Ohm Max

PE-0805CD122GTT hat einen DC-Widerstand von 4.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CD122GTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1.2 µH
Toleranz±2%
Nennstrom120 mA
DC-Widerstand (DCR)4.1Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 1.2UH 120MA 4.1 OHM
Serie0805CD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz200MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.062" (1.58mm)

Vorschau