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PE-0805CD681GTT

PE-0805CD681GTT

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CD681GTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 674 nH, Nennstrom 190 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.2Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
674 nH
Nennstrom
190 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CD681GTT.

Induktivität
674 nH

PE-0805CD681GTT hat eine Induktivität von 674 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
190 mA

PE-0805CD681GTT ist für 190 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.2Ohm Max

PE-0805CD681GTT hat einen DC-Widerstand von 2.2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CD681GTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität674 nH
Toleranz±2%
Nennstrom190 mA
DC-Widerstand (DCR)2.2Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 674NH 190MA 2.2 OHM
Serie0805CD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz188MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.062" (1.58mm)

Vorschau