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PE-0805CD821JTT

PE-0805CD821JTT

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CD821JTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 783 nH, Nennstrom 180 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.35Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
783 nH
Nennstrom
180 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.35Ohm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CD821JTT.

Induktivität
783 nH

PE-0805CD821JTT hat eine Induktivität von 783 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
180 mA

PE-0805CD821JTT ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.35Ohm Max

PE-0805CD821JTT hat einen DC-Widerstand von 2.35Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CD821JTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität783 nH
Toleranz±5%
Nennstrom180 mA
DC-Widerstand (DCR)2.35Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 783NH 180MA 2.35 OHM
Serie0805CD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz215MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.062" (1.58mm)

Vorschau