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PE-0805CLH3R3STS

PE-0805CLH3R3STS

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CLH3R3STS von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 286mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
286mOhm Max
Abmessungen
0.083" L x 0.049" W (2.10mm x 1.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CLH3R3STS.

Induktivität
3.3 µH

PE-0805CLH3R3STS hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

PE-0805CLH3R3STS ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
286mOhm Max

PE-0805CLH3R3STS hat einen DC-Widerstand von 286mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CLH3R3STS verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität3.3 µH
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)286mOhm Max
Sättigungsstrom400mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.083" L x 0.049" W (2.10mm x 1.25mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 800MA 286 MOHM
Serie0805CLH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
AbschirmungShielded
Eigenresonanzfrequenz35MHz
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

Vorschau