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PE-0805CM151JTT

PE-0805CM151JTT

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CM151JTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 nH, Nennstrom 350 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 560mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
150 nH
Nennstrom
350 mA
DC-Widerstand (DCR)
560mOhm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CM151JTT.

Induktivität
150 nH

PE-0805CM151JTT hat eine Induktivität von 150 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
350 mA

PE-0805CM151JTT ist für 350 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
560mOhm Max

PE-0805CM151JTT hat einen DC-Widerstand von 560mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CM151JTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität150 nH
Toleranz±5%
Nennstrom350 mA
DC-Widerstand (DCR)560mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 150NH 350MA 560 MOHM
Serie0805CM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz900MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.062" (1.58mm)

Vorschau