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PE-0805CM821JTT

PE-0805CM821JTT

Pulse Electronics

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-0805CM821JTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.35Ohm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
820 nH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.35Ohm Max
Abmessungen
0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-0805CM821JTT.

Induktivität
820 nH

PE-0805CM821JTT hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

PE-0805CM821JTT ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.35Ohm Max

PE-0805CM821JTT hat einen DC-Widerstand von 2.35Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

PE-0805CM821JTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität820 nH
Toleranz±5%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)2.35Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.090" L x 0.066" W (2.29mm x 1.68mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 820NH 200MA 2.35 OHM
Serie0805CM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz23 @ 50MHz
Eigenresonanzfrequenz215MHz
Induktivitäts-Testfrequenz50 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805 (2012 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.062" (1.58mm)

Vorschau