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PE-1008CD681GTT

PE-1008CD681GTT

Pulse Electronics

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PE-1008CD681GTT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 nH, Nennstrom 230 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.47Ohm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
680 nH
Nennstrom
230 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.47Ohm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PE-1008CD681GTT.

Induktivität
680 nH

PE-1008CD681GTT hat eine Induktivität von 680 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
230 mA

PE-1008CD681GTT ist für 230 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.47Ohm Max

PE-1008CD681GTT hat einen DC-Widerstand von 1.47Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

PE-1008CD681GTT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität680 nH
Toleranz±2%
Nennstrom230 mA
DC-Widerstand (DCR)1.47Ohm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 680NH 230MA 1.47 OHM
Serie1008CD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz375MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.090" (2.29mm)

Vorschau