Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PF0580.822NL von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 1.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 111mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PF0580.822NL.
PF0580.822NL hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PF0580.822NL ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PF0580.822NL hat einen DC-Widerstand von 111mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PF0580.822NL verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 1.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 111mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.185" L x 0.165" W (4.70mm x 4.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 1.2A 111 MOHM |
| Serie | PF0580NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.137" (3.48mm) |
