Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PG0083.102NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 12 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.2mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PG0083.102NLT.
PG0083.102NLT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PG0083.102NLT ist für 12 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PG0083.102NLT hat einen DC-Widerstand von 7.2mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PG0083.102NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±25% |
| Nennstrom | 12 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 7.2mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 17A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C |
| Abmessungen | 0.268" L x 0.268" W (6.80mm x 6.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 12A 7.2 MOHM SMD |
| Serie | PG0083 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.165" (4.20mm) |
