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PG0084.651NLT

PG0084.651NLT

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PG0084.651NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 650 nH, Nennstrom 32 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.8mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
650 nH
Nennstrom
32 A
DC-Widerstand (DCR)
2.8mOhm Max
Abmessungen
0.551" L x 0.512" W (14.00mm x 13.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PG0084.651NLT.

Induktivität
650 nH

PG0084.651NLT hat eine Induktivität von 650 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
32 A

PG0084.651NLT ist für 32 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.8mOhm Max

PG0084.651NLT hat einen DC-Widerstand von 2.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

PG0084.651NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität650 nH
Toleranz±20%
Nennstrom32 A
DC-Widerstand (DCR)2.8mOhm Max
Sättigungsstrom32A
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C
Abmessungen0.551" L x 0.512" W (14.00mm x 13.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 650NH 32A 2.8 MOHM SMD
SeriePG0084NL
ProduktstatusActive
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.173" (4.40mm)

Vorschau

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