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PG0085.682NLT

PG0085.682NLT

Pulse Electronics

Nonstandard
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PG0085.682NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 660 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 115mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
660 mA
DC-Widerstand (DCR)
115mOhm Max
Abmessungen
0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PG0085.682NLT.

Induktivität
6.8 µH

PG0085.682NLT hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
660 mA

PG0085.682NLT ist für 660 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
115mOhm Max

PG0085.682NLT hat einen DC-Widerstand von 115mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

PG0085.682NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom660 mA
DC-Widerstand (DCR)115mOhm Max
Sättigungsstrom660mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 130°C
Abmessungen0.169" L x 0.169" W (4.30mm x 4.30mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantPulse Electronics
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 660MA 115 MOHM
SeriePG0085NL
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauWirewound
AbschirmungShielded
Eigenresonanzfrequenz38MHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.071" (1.80mm)

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