Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PM20S-8R2K von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 195 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.65Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PM20S-8R2K.
PM20S-8R2K hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PM20S-8R2K ist für 195 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PM20S-8R2K hat einen DC-Widerstand von 1.65Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PM20S-8R2K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 195 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.65Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 8.2UH 195MA 1.65 OHM |
| Serie | PM20S |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 35MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.96 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.087" (2.20mm) |
