Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PM2203.122NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 11 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 9.7mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PM2203.122NLT.
PM2203.122NLT hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PM2203.122NLT ist für 11 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PM2203.122NLT hat einen DC-Widerstand von 9.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PM2203.122NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 11 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 9.7mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 15A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1.2UH 11A 9.7 MOHM SMD |
| Serie | PM2203.XXXNLT |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.122" (3.10mm) |
