Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PM2203.182NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 10.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 12.7mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PM2203.182NLT.
PM2203.182NLT hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PM2203.182NLT ist für 10.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PM2203.182NLT hat einen DC-Widerstand von 12.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PM2203.182NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 10.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 12.7mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 12.3A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 10.1A 12.7 MOHM |
| Serie | PM2203.XXXNLT |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | SMD |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.122" (3.10mm) |
