Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PTL1608-F2N2C von muRata. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2nH, Nennstrom 650mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 220mΩ, Gehäusegröße 0603. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PTL1608-F2N2C.
PTL1608-F2N2C hat eine Induktivität von 2.2nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PTL1608-F2N2C ist für 650mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PTL1608-F2N2C hat einen DC-Widerstand von 220mΩ. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PTL1608-F2N2C verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von PTL1608-F2N2C weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2nH |
| Nennstrom | 650mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 220mΩ |
| Gehäuse / Größe | 0603 |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 |
| Lieferant | muRata |
| Beschreibung | Chip Inductor, 2.2nH, Rated current: 650mA, Case: 0603 |
| Typ / Aufbau | Chip Inductor |
| Q bei Frequenz | 6.5@100MHz |