Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil RL855-100M-RC von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 2.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 70mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für RL855-100M-RC.
RL855-100M-RC hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
RL855-100M-RC ist für 2.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
RL855-100M-RC hat einen DC-Widerstand von 70mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
RL855-100M-RC verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 70mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.307" Dia (7.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 2.5A 70 MOHM TH |
| Serie | RL855 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 45 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 20MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.217" (5.50mm) |
