Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil RL855-222K-RC von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 mH, Nennstrom 180 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.1Ohm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical Cylinder (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für RL855-222K-RC.
RL855-222K-RC hat eine Induktivität von 2.2 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
RL855-222K-RC ist für 180 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
RL855-222K-RC hat einen DC-Widerstand von 11.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
RL855-222K-RC verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 mH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 180 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 11.1Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 100°C |
| Abmessungen | 0.307" Dia (7.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder (Open) |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2MH 180MA 11.1 OHM |
| Serie | RL855 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 80 @ 250kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 950kHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.217" (5.50mm) |
