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SBC2-330-112

SBC2-330-112

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 33UH 1.1A 180 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
33 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max
Abmessungen
0.276" Dia (7.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC2-330-112.

Induktivität
33 µH

SBC2-330-112 hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

SBC2-330-112 ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
180mOhm Max

SBC2-330-112 hat einen DC-Widerstand von 180mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC2-330-112 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität33 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)180mOhm Max
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.276" Dia (7.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 33UH 1.1A 180 MOHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.315" (8.00mm)
Merkmale-

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