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SBC8-152-581

SBC8-152-581

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 1.5MH 580MA 1.3 OHM TH

Technische Daten

Induktivität
1.5 mH
Nennstrom
580 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max
Abmessungen
0.591" Dia (15.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC8-152-581.

Induktivität
1.5 mH

SBC8-152-581 hat eine Induktivität von 1.5 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
580 mA

SBC8-152-581 ist für 580 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.3Ohm Max

SBC8-152-581 hat einen DC-Widerstand von 1.3Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC8-152-581 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität1.5 mH
Toleranz±10%
Nennstrom580 mA
DC-Widerstand (DCR)1.3Ohm Max
Sättigungsstrom920mA
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.591" Dia (15.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 1.5MH 580MA 1.3 OHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.886" (22.50mm)
Merkmale-

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