Beschreibung
FIXED IND 2.2UH 7.9A 10 MOHM TH
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC9-2R2-792.
SBC9-2R2-792 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SBC9-2R2-792 ist für 7.9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SBC9-2R2-792 hat einen DC-Widerstand von 10mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SBC9-2R2-792 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.9 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 10mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 21.5A |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.472" Dia (12.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical Cylinder |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical Cylinder |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 7.9A 10 MOHM TH |
| Serie | SBC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | - |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.472" (12.00mm) |
| Merkmale | - |
