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SBC9-4R7-562

SBC9-4R7-562

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 5.6A 20 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
5.6 A
DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max
Abmessungen
0.472" Dia (12.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBC9-4R7-562.

Induktivität
4.7 µH

SBC9-4R7-562 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.6 A

SBC9-4R7-562 ist für 5.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20mOhm Max

SBC9-4R7-562 hat einen DC-Widerstand von 20mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBC9-4R7-562 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom5.6 A
DC-Widerstand (DCR)20mOhm Max
Sättigungsstrom14.7A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.472" Dia (12.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 5.6A 20 MOHM TH
SerieSBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.472" (12.00mm)
Merkmale-

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