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SBCP-80HY151H

SBCP-80HY151H

KEMET

Radial, Vertical Cylinder
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Beschreibung

FIXED IND 150UH 1A 410 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
150 µH
Nennstrom
1 A
DC-Widerstand (DCR)
410mOhm Max
Abmessungen
0.374" Dia (9.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SBCP-80HY151H.

Induktivität
150 µH

SBCP-80HY151H hat eine Induktivität von 150 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1 A

SBCP-80HY151H ist für 1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
410mOhm Max

SBCP-80HY151H hat einen DC-Widerstand von 410mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical Cylinder

SBCP-80HY151H verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical Cylinder. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität150 µH
Toleranz±10%
Nennstrom1 A
DC-Widerstand (DCR)410mOhm Max
Sättigungsstrom1.2A
Betriebstemperatur-20°C ~ 105°C
Abmessungen0.374" Dia (9.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical Cylinder
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical Cylinder
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 150UH 1A 410 MOHM TH
SerieSBCP
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz10 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.433" (11.00mm)
Merkmale-

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