Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SDR1045-2R7M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 4.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 26mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SDR1045-2R7M.
SDR1045-2R7M hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SDR1045-2R7M ist für 4.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SDR1045-2R7M hat einen DC-Widerstand von 26mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SDR1045-2R7M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 4.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 26mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 6.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.394" L x 0.394" W (10.00mm x 10.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 2.7UH 4.8A 26 MOHM SMD |
| Serie | SDR1045 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 7.96MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 68.7MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.189" (4.80mm) |
