Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SDR6603-151M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 150 µH, Nennstrom 250 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SDR6603-151M.
SDR6603-151M hat eine Induktivität von 150 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SDR6603-151M ist für 250 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SDR6603-151M hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SDR6603-151M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 150 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 250 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 270mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | FIXED IND 150UH 250MA 2 OHM SMD |
| Serie | SDR6603 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 41 @ 796kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 6MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.115" (2.92mm) |
