Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SDS850R-222N von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 2.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 40mOhm Max, Gehäusegröße Surface Mount. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SDS850R-222N.
SDS850R-222N hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SDS850R-222N ist für 2.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SDS850R-222N hat einen DC-Widerstand von 40mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SDS850R-222N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Surface Mount. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 40mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Gehäuse / Größe | Surface Mount |
| Gehäuse / Ausführung | Surface Mount |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 2.5A 40 MOHM SMD |
| Serie | SDS850R |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Hersteller-Gehäuse | Nonstandard |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.413" L x 0.315" W (10.50mm x 8.00mm) |
| Merkmale | 0.189" (4.80mm) |
