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SHBC10-0R8A0068V

SHBC10-0R8A0068V

KEMET

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 68UH 3A 42.3 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
42.3mOhm Max
Abmessungen
0.846" Dia (21.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC10-0R8A0068V.

Induktivität
68 µH

SHBC10-0R8A0068V hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

SHBC10-0R8A0068V ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
42.3mOhm Max

SHBC10-0R8A0068V hat einen DC-Widerstand von 42.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

SHBC10-0R8A0068V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)42.3mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.846" Dia (21.50mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 68UH 3A 42.3 MOHM TH
SerieSHBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.846" (21.50mm)
Merkmale-

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