Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SHBC10-0R8A0107V von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 107 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 53mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC10-0R8A0107V.
SHBC10-0R8A0107V hat eine Induktivität von 107 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SHBC10-0R8A0107V ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SHBC10-0R8A0107V hat einen DC-Widerstand von 53mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SHBC10-0R8A0107V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 107 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 53mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.866" Dia (22.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 107UH 3A 53 MOHM TH |
| Serie | SHBC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.866" (22.00mm) |
