Beschreibung
FIXED IND 80UH 5A 35.6 MOHM TH
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC12-1R0A0080V.
SHBC12-1R0A0080V hat eine Induktivität von 80 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SHBC12-1R0A0080V ist für 5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SHBC12-1R0A0080V hat einen DC-Widerstand von 35.6mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SHBC12-1R0A0080V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 35.6mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 1.039" Dia (26.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 80UH 5A 35.6 MOHM TH |
| Serie | SHBC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | - |
| Eigenresonanzfrequenz | - |
| Zulassungen / Bewertungen | - |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 1.039" (26.40mm) |
| Merkmale | - |
