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SHBC13-1R2A0081V

SHBC13-1R2A0081V

KEMET

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 81UH 6A 24.7 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
81 µH
Nennstrom
6 A
DC-Widerstand (DCR)
24.7mOhm Max
Abmessungen
1.181" Dia (30.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC13-1R2A0081V.

Induktivität
81 µH

SHBC13-1R2A0081V hat eine Induktivität von 81 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6 A

SHBC13-1R2A0081V ist für 6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
24.7mOhm Max

SHBC13-1R2A0081V hat einen DC-Widerstand von 24.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

SHBC13-1R2A0081V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität81 µH
Toleranz±20%
Nennstrom6 A
DC-Widerstand (DCR)24.7mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen1.181" Dia (30.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantKEMET,WEC
BeschreibungFIXED IND 81UH 6A 24.7 MOHM TH
SerieSHBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.181" (30.00mm)
Merkmale-

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