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SHBC20-1R7A0152V

SHBC20-1R7A0152V

KEMET

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 152UH 12A 20.4 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
152 µH
Nennstrom
12 A
DC-Widerstand (DCR)
20.4mOhm Max
Abmessungen
1.622" Dia (41.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC20-1R7A0152V.

Induktivität
152 µH

SHBC20-1R7A0152V hat eine Induktivität von 152 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
12 A

SHBC20-1R7A0152V ist für 12 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20.4mOhm Max

SHBC20-1R7A0152V hat einen DC-Widerstand von 20.4mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

SHBC20-1R7A0152V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität152 µH
Toleranz±20%
Nennstrom12 A
DC-Widerstand (DCR)20.4mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen1.622" Dia (41.20mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantKEMET
BeschreibungFIXED IND 152UH 12A 20.4 MOHM TH
SerieSHBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)1.622" (41.20mm)
Merkmale-

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