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SHBC8S-0R6A0067V

SHBC8S-0R6A0067V

KEMET

Radial, Vertical (Open)
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Beschreibung

FIXED IND 67UH 2A 67.8 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
67 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
67.8mOhm Max
Abmessungen
0.669" Dia (17.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC8S-0R6A0067V.

Induktivität
67 µH

SHBC8S-0R6A0067V hat eine Induktivität von 67 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

SHBC8S-0R6A0067V ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
67.8mOhm Max

SHBC8S-0R6A0067V hat einen DC-Widerstand von 67.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Radial, Vertical (Open)

SHBC8S-0R6A0067V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität67 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)67.8mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.669" Dia (17.00mm)
Gehäuse / GrößeRadial, Vertical (Open)
Gehäuse / AusführungRadial, Vertical (Open)
LieferantKEMET,WEC
BeschreibungFIXED IND 67UH 2A 67.8 MOHM TH
SerieSHBC
ProduktstatusActive
Typ / AufbauToroidal
KernmaterialAlloy Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseRadial
Höhe - sitzend (max.)0.669" (17.00mm)
Merkmale-

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