Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SHBC8S-0R6A0067V von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 67 µH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 67.8mOhm Max, Gehäusegröße Radial, Vertical (Open). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SHBC8S-0R6A0067V.
SHBC8S-0R6A0067V hat eine Induktivität von 67 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SHBC8S-0R6A0067V ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SHBC8S-0R6A0067V hat einen DC-Widerstand von 67.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SHBC8S-0R6A0067V verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Radial, Vertical (Open). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 67 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 67.8mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.669" Dia (17.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Radial, Vertical (Open) |
| Gehäuse / Ausführung | Radial, Vertical (Open) |
| Lieferant | KEMET,WEC |
| Beschreibung | FIXED IND 67UH 2A 67.8 MOHM TH |
| Serie | SHBC |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Toroidal |
| Kernmaterial | Alloy Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Radial |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.669" (17.00mm) |
