Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SL1211V2-R080-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 80 nH, Nennstrom 75 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.6mOhm, Gehäusegröße Nonstandard, 4 Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SL1211V2-R080-R.
SL1211V2-R080-R hat eine Induktivität von 80 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SL1211V2-R080-R ist für 75 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SL1211V2-R080-R hat einen DC-Widerstand von 0.6mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SL1211V2-R080-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard, 4 Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 80 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 75 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.6mOhm |
| Sättigungsstrom | 149A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.472" L x 0.236" W (12.00mm x 6.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard, 4 Lead |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard, 4 Lead |
| Lieferant | Eaton - Electronics Division |
| Beschreibung | FIXED IND 80NH 75A 0.6 MOHM SMD |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.433" (11.00mm) |
