Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMG1812-012M von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 1.23 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße 1812. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMG1812-012M.
SMG1812-012M hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMG1812-012M ist für 1.23 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMG1812-012M hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMG1812-012M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.23 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.138" (3.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1812 |
| Gehäuse / Ausführung | 1812 |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 12NH 1.23A 100 MOHM |
| Serie | SMG1812 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Non-Magnetic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 50MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1GHz |
| Montageart | 1812 (4532 Metric) |
| Hersteller-Gehäuse | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Höhe - sitzend (max.) | 50 MHz |
| Merkmale | Surface Mount |
