Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMG5025-221KLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 620 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 950mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMG5025-221KLF.
SMG5025-221KLF hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMG5025-221KLF ist für 620 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMG5025-221KLF hat einen DC-Widerstand von 950mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMG5025-221KLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 620 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 950mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.500" L x 0.228" W (12.70mm x 5.80mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 620MA 950 MOHM |
| Serie | SMG5025 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Non-Magnetic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 33 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 135MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.230" (5.84mm) |
