Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SML32-022J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 nH, Nennstrom 779 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 200mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SML32-022J.
SML32-022J hat eine Induktivität von 22 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SML32-022J ist für 779 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SML32-022J hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SML32-022J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 22 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 779 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 200mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 22NH 779MA 200 MOHM |
| Serie | SML32 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 23 @ 100MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.7GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.102" (2.60mm) |
