Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF1010-820K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 430 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 530mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1010-820K.
SMRF1010-820K hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF1010-820K ist für 430 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF1010-820K hat einen DC-Widerstand von 530mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF1010-820K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 430 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 530mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.100" L x 0.100" W (2.54mm x 2.54mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 430MA 530 MOHM |
| Serie | SMRF1010 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 22 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 160MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.085" (2.16mm) |
