Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF1210-562K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 56 µH, Nennstrom 152 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8Ohm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1210-562K.
SMRF1210-562K hat eine Induktivität von 56 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF1210-562K ist für 152 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF1210-562K hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF1210-562K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 56 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 152 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.130" L x 0.095" W (3.30mm x 2.42mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 56UH 152MA 8 OHM SMD |
| Serie | SMRF1210S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 11MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.106" (2.70mm) |
