SMRF1812-103J
Gowanda
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF1812-103J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 158 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 8Ohm Max, Gehäusegröße 1812 (4532 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-103J.
SMRF1812-103J hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF1812-103J ist für 158 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF1812-103J hat einen DC-Widerstand von 8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF1812-103J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 158 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 8Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 1812 (4532 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1812 (4532 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 158MA 8 OHM SMD |
| Serie | SMRF1812 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 2.5MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 8MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.5 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138" (3.50mm) |
