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SMRF1812-331J

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 501MA 800 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
501 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-331J.

Induktivität
3.3 µH

SMRF1812-331J hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
501 mA

SMRF1812-331J ist für 501 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

SMRF1812-331J hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812-331J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±5%
Nennstrom501 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 501MA 800 MOHM
SerieSMRF1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz45MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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