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SMRF1812-821JLF

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 8.2UH 375MA 1.4 OHM

Technische Daten

Induktivität
8.2 µH
Nennstrom
375 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-821JLF.

Induktivität
8.2 µH

SMRF1812-821JLF hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
375 mA

SMRF1812-821JLF ist für 375 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.4Ohm Max

SMRF1812-821JLF hat einen DC-Widerstand von 1.4Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812-821JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität8.2 µH
Toleranz±5%
Nennstrom375 mA
DC-Widerstand (DCR)1.4Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 8.2UH 375MA 1.4 OHM
SerieSMRF1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz25MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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