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SMRF1812-822JLF

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82UH 169MA 7 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
169 mA
DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max
Abmessungen
0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF1812-822JLF.

Induktivität
82 µH

SMRF1812-822JLF hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
169 mA

SMRF1812-822JLF ist für 169 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7Ohm Max

SMRF1812-822JLF hat einen DC-Widerstand von 7Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

SMRF1812-822JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±5%
Nennstrom169 mA
DC-Widerstand (DCR)7Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.175" L x 0.126" W (4.45mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 82UH 169MA 7 OHM SMD
SerieSMRF1812
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz8MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.50mm)
Merkmale-

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