SMRF2510-120K
Gowanda
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF2510-120K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 785 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 170mOhm Max, Gehäusegröße 2512. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF2510-120K.
SMRF2510-120K hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF2510-120K ist für 785 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF2510-120K hat einen DC-Widerstand von 170mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF2510-120K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2512. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 785 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 170mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.110" (2.79mm) |
| Gehäuse / Größe | 2512 |
| Gehäuse / Ausführung | 2512 |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 785MA 170 MOHM |
| Serie | SMRF2510 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 25 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 530MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0.245" L x 0.095" W (6.22mm x 2.41mm) |
