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SMRF2510-682K

Gowanda

2512

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF2510-682K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 68 µH, Nennstrom 58 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 13.8Ohm Max. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.

Technische Daten

Induktivität
68 µH
Nennstrom
58 mA
DC-Widerstand (DCR)
13.8Ohm Max
Abmessungen
0.245" L x 0.095" W (6.22mm x 2.41mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF2510-682K.

Induktivität
68 µH

SMRF2510-682K hat eine Induktivität von 68 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
58 mA

SMRF2510-682K ist für 58 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
13.8Ohm Max

SMRF2510-682K hat einen DC-Widerstand von 13.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2512

SMRF2510-682K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2512. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
Zuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität68 µH
Toleranz±10%
Nennstrom58 mA
DC-Widerstand (DCR)13.8Ohm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.245" L x 0.095" W (6.22mm x 2.41mm)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 68UH 58MA 13.8 OHM SMD
SerieSMRF2510
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz10MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2512
Höhe - sitzend (max.)0.110" (2.79mm)