Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF3013-110J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 110 nH, Nennstrom 1.542 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 85mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF3013-110J.
SMRF3013-110J hat eine Induktivität von 110 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF3013-110J ist für 1.542 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF3013-110J hat einen DC-Widerstand von 85mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF3013-110J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 110 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 1.542 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 85mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.313" L x 0.120" W (7.94mm x 3.05mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 110NH 1.542A 85 MOHM |
| Serie | SMRF3013 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 40 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 660MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.145" (3.68mm) |
