Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF5025-110JLF von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 110 nH, Nennstrom 3.69 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 27mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF5025-110JLF.
SMRF5025-110JLF hat eine Induktivität von 110 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SMRF5025-110JLF ist für 3.69 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SMRF5025-110JLF hat einen DC-Widerstand von 27mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SMRF5025-110JLF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 110 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 3.69 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 27mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.500" L x 0.240" W (12.70mm x 6.10mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 110NH 3.69A 27 MOHM |
| Serie | SMRF5025 |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 50 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 535MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.230" (5.84mm) |
