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SMRF5025S-103K

Gowanda

Nonstandard
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SMRF5025S-103K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 312 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.12Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 µH
Nennstrom
312 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.12Ohm Max
Abmessungen
0.500" L x 0.240" W (12.70mm x 6.10mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SMRF5025S-103K.

Induktivität
100 µH

SMRF5025S-103K hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
312 mA

SMRF5025S-103K ist für 312 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.12Ohm Max

SMRF5025S-103K hat einen DC-Widerstand von 3.12Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

SMRF5025S-103K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Similar-specification candidates · Engineering review required

Screened against recorded construction, core, mounting, dimensions and current/DCR. Land pattern, test conditions and circuit compatibility still require validation.

Missing evidence or no candidates passed screening. A replacement cannot be determined; request a review of the original datasheets.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität100 µH
Toleranz±10%
Nennstrom312 mA
DC-Widerstand (DCR)3.12Ohm Max
Sättigungsstrom113mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.500" L x 0.240" W (12.70mm x 6.10mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 100UH 312MA 3.12 OHM
SerieSMRF5025S
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz40 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz10MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.230" (5.84mm)

Vorschau

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